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電子元器件失效分析、斷口分析測(cè)試

單價(jià): 面議
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所在地: 江蘇 蘇州
有效期至: 長(zhǎng)期有效
發(fā)布時(shí)間: 2023-11-24 04:59
最后更新: 2023-11-24 04:59
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電子元器件失效分析項(xiàng)目

  電測(cè):連接性測(cè)試、電參數(shù)測(cè)試、功能測(cè)試等;

  無(wú)損檢測(cè):射線檢測(cè)技術(shù)( X 射線、γ 射線、中子射線等),工業(yè)CT,康普頓背散射成像(CST)技術(shù),超聲檢測(cè)技術(shù)(穿透法、脈沖反射法、串列法),紅外熱波檢測(cè)技術(shù),聲發(fā)射檢測(cè)技術(shù),渦流檢測(cè)技術(shù),微波檢測(cè)技術(shù),激光全息檢驗(yàn)法等

  顯微形貌分析:光學(xué)顯微分析技術(shù)、掃描電子顯微鏡二次電子像技術(shù)等

  表面元素分析:掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS)、俄歇電子能譜分析(AES)、X射線光電子能譜分析(XPS)、二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)等

  無(wú)損分析技術(shù):X射線透視技術(shù)、三維透視技術(shù)、反射式掃描聲學(xué)顯微技術(shù)(C-SAM)等

電子元器件失效分析標(biāo)準(zhǔn)

  CEI EN 61709-2012 IEC 61709:1996電子元器件 可靠性 失效率的標(biāo)準(zhǔn)條件和轉(zhuǎn)換的應(yīng)力模型

  DIN EN 61709-1999 電子元器件.可靠性.失效率和轉(zhuǎn)變應(yīng)力模式的參考條件

  GB/T 2689.1-1981 恒定應(yīng)力壽命試驗(yàn)和加速壽命試驗(yàn)方法總則

  GB/T 7289-2017 電學(xué)元器件 可靠性 失效率的基準(zhǔn)條件和失效率轉(zhuǎn)換的應(yīng)力模型

  GB/T 21711.7-2018 基礎(chǔ)機(jī)電繼電器 第7部分:試驗(yàn)和測(cè)量程序

  QJ 1317A-2005 電子元器件失效分類及代碼

  QJ 2663-1994 航天電子元器件失效數(shù)據(jù)采集卡及填寫規(guī)定

  T/CIE 115-2021 電子元器件失效機(jī)理、模式及影響分析(FMMEA)通用方法和程序

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