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剩余電流特性測試儀 剩余電流保護器特性測試儀 B型

電流: 2A
電壓: 220v
精度: 0.1級
單價: 127.00元/套
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 山東 青島
有效期至: 長期有效
發(fā)布時間: 2023-12-14 06:46
最后更新: 2023-12-14 06:46
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詳細說明
HN1000B 斷路器剩余電流保護器動作特性測試儀(分A型AC型B型F型) B型剩余電流斷路器測試儀(以下簡稱測試儀)是為剩余電流斷路器的性能測試而研制,它是檢測B型剩余電流斷路器脫扣電流和分斷時間的關鍵儀器。
測試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
1P+N、2P、、+N、4P的斷路器均能測試,輸出大剩余電流為2A。
系統(tǒng)顯示和操作采用流行的工業(yè)級觸摸屏,操作簡單; 接地方式:可靠接地   測試儀輸出的電流值為真有效值,測試不確定度小于1%; (2)50Hz交流剩余電流范圍:0~2A; 選項角為0°的脈動直流剩余電流,電流的范圍為0~800mA; 選項角為135°的直流剩余電流,電流的范圍為0~200mA; (5)疊加平滑直流的范圍為5~100mA;  先測試出可控硅的峰值電壓,將電線正負極連接至K兩極,接地線接至室內(nèi)主接地上,逐漸升壓,測試其漏電流數(shù)值。
進行漏電測試后,逐漸升壓,觀測漏電流,當數(shù)值超過其額定峰值電壓后,可控硅被擊穿,但采用此方法可能會破壞其PN結,并且只能測試其是否導通,而不能測試其導通是否良好,故不再采用此法進行測試。
搖表測試法用搖表對可控硅進行測量,參照之前使用的漏電檢測法。
為防止搖表法測試過程中擊穿或損壞可控硅,改變搖表操作方法,即要對搖表電壓和轉(zhuǎn)速進行控制,兩筆端鏈接K極對其進行測試。
LTE測試雖進步顯著未來仍面臨三重關互操作測試任務仍艱巨三大運營商3G網(wǎng)絡已完成大規(guī)模建設,新部署的LTE網(wǎng)絡在較長時期內(nèi)難以達到2G/3G網(wǎng)絡的覆蓋廣度和深度,且VoLTE目前還不夠成熟,LTE與2G/3G網(wǎng)絡不能孤立運行,必須通過互操作來保證業(yè)務在網(wǎng)絡之間的連續(xù)性。
LTE與2G/3G的互操作包括語音互操作和數(shù)據(jù)互操作。
以移動為例,對于數(shù)據(jù)互操作,不僅要求TD-LTE與TD-SCDMA之間實現(xiàn)空閑態(tài)的雙向重選、連接態(tài)的雙向重定向,還要求TD-LTE與GSM網(wǎng)間實現(xiàn)互操作以保證業(yè)務連續(xù)性,復雜的切換場景對測試工作而言是艱巨的挑戰(zhàn)。
關于MOSFET很多人都不甚理解,這次小編再帶大家仔細梳理一下,也許對于您的知識系統(tǒng)更加。
下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎的一點其中參考了一些資料。
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,電壓等,電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。
這樣的電路也許是可以工作的,但并不是的,作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。

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