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素尺寸、響應(yīng)時(shí)間等 探測(cè)器平板探測(cè)器 ***普遍使用 分為兩種：非晶硅、非晶硒 平板探測(cè)器非晶硅 目前世界上主要廠家都用這種技術(shù)，包括 GE、西門子、飛利浦、柯達(dá)等。國(guó)內(nèi)萬(wàn)東也引進(jìn)了這種技術(shù)。 間接能量轉(zhuǎn)換過(guò)程，所謂間接DR。 兩步數(shù)字轉(zhuǎn)換過(guò)程，X-光粒子先變成可見(jiàn)光用光電管探測(cè)。 平板探測(cè)器非晶硅 成像核磁維修、維修核磁,開(kāi)機(jī)測(cè)試還是不能出圖，檢查發(fā)現(xiàn)GATE等在射頻發(fā)射時(shí)沒(méi)有閃爍，證明門控信號(hào)沒(méi)有輸出。門控信號(hào)由譜儀輸出，檢查譜儀至知識(shí)燈之間的線路正常。懷疑譜儀故障，將譜儀拆開(kāi)后，檢查SW-239門控電子轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)損壞。該開(kāi)關(guān)是在射頻發(fā)射和信號(hào)接收之

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間的轉(zhuǎn)換。更換損壞器件后，機(jī)器恢復(fù)正常。作者：司馬雨辰現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行X射線時(shí)，應(yīng)設(shè)置安全線，確定“控制區(qū)”及“管理區(qū)”，并設(shè)明顯警告標(biāo)志。材料層為摻***的碘化銫閃爍發(fā)光晶體排列 ；陣列層由光電二極管和TFT組成。每個(gè)二極管對(duì)應(yīng)一個(gè)像素。 目前像素尺寸有143*143μm，16*160μm，200*200μm，分辨率3.5LP/mm，灰階4096，響應(yīng)時(shí)間3-5s。 平板探測(cè)器晶體非晶硒 或碘化